半導(dǎo)體及照明科技翻譯模板-上海哪家翻譯公司比較好？

解決寬禁帶襯底上高效率 LED 芯片的若干基礎(chǔ)科學(xué)問(wèn)題，研 究高密度載流子注入條件下的束縛激子及其復(fù)合機(jī)制；探索通信調(diào)制功能和 LED 照明器件相互影響機(jī)理。重點(diǎn)研究方向：

広バンドギャップ基板における高効率LEDチップの若干の基礎(chǔ)科學(xué)課題を解決し、高密度キャリア注入條件における束縛勵(lì)起子及びその複合メカニズムを研究する。通信変調(diào)機(jī)能とLED照明デバイスの相互影響メカニズムを探索する。重點(diǎn)的な研究方向：

1、超高效率氮化物 LED 芯片基礎(chǔ)研究

研究大注入條件下 LED 的發(fā)光機(jī)理，建立功率 LED 器件的基 本物理模型，研制高質(zhì)量氮化物半導(dǎo)體量子阱材料和超高效率氮 化物 LED 芯片并完成應(yīng)用驗(yàn)證，提出提高氮化物 LED 發(fā)光效率的 新概念、新結(jié)構(gòu)、新方法，突破下一代白光 LED 核心技術(shù)。

1、超高効率窒化物LEDチップ基礎(chǔ)研究

大注入條件におけるLEDの発光メカニズムを研究し、パワーLEDデバイスの基本物理モデルを確立し、高品質(zhì)窒化物半導(dǎo)體量子井戸材料及び超高効率窒化物LEDチップを開(kāi)発し、かつ応用実証を完成し、窒化物LED発光効率を向上する新概念、新構(gòu)造、新方法を提出し、次世代白光LEDコア技術(shù)を開(kāi)発する。

2、新型微納結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體照明

研究微納材料和技術(shù)對(duì)白光 LED 效率的作用機(jī)理，掌握提高 LED 量子效率的方法，突破下一代白光照明核心微納技術(shù)。研究 納米圖形襯底的制備原理及對(duì)外延材料的影響機(jī)理；研究表面等 離子體結(jié)構(gòu)對(duì)半導(dǎo)體照明器件量子效率的提升作用；研究微納結(jié)構(gòu)的作用機(jī)理和出光效率的提升方法。

2、新型マイクロ?ナノ構(gòu)造半導(dǎo)體照明

マイクロ?ナノ材料と技術(shù)の白光LED効率への作用メカニズムを研究し、LED量子効率を向上する方法を把握し、次世代白光照明コアマイクロ?ナノ技術(shù)を開(kāi)発する。ナノパターン基板の製作原理及び外延材料への影響メカニズムを研究する。表面プラズマ構(gòu)造の半導(dǎo)體照明デバイス量子効率への向上作用を研究する。マイクロ?ナノ構(gòu)造の作用メカニズム及び出光効率の向上方法を研究する。

3、短距離光通信與照明結(jié)合的新型 LED 器件基礎(chǔ)研究 重點(diǎn)開(kāi)展載流子復(fù)合通道和壽命的關(guān)聯(lián)性、摻雜機(jī)理、電流通路高速響應(yīng)機(jī)制、外延芯片封裝結(jié)構(gòu)對(duì)照明及通信質(zhì)量的調(diào)控、器件級(jí)通信質(zhì)量分析驗(yàn)證、LED 芯片與探測(cè)器單片集成機(jī)理 和工藝、高速短距離光通信單元組件等研究。開(kāi)展新型LED 器件 相關(guān)物理問(wèn)題的研究，研制出通信、照明兩用的高速調(diào)制的創(chuàng)型 LED 通信照明光源。

3、短距離光通信と照明と結(jié)合の新型LEDデバイス基礎(chǔ)研究 
キャリア複合ルートと壽命との関連性、ドーピングメカニズム、電流経路高速?gòu)甏痼w制、外延チップ封止構(gòu)造の照明及び通信品質(zhì)への調(diào)整、デバイスクラス通信品質(zhì)分析実証、LEDチップと探測(cè)器シングルチップ集積メカニズムとプロセス、高速短距離光通信アセンブリユニットなどの研究を重點(diǎn)的に行う。新型LEDデバイス関連物理課題の研究を行い、通信、照明両用の高速変調(diào)の革新型LED通信照明光源を開(kāi)発する。

4、超高效 OLED 白光器件基礎(chǔ)研究 重點(diǎn)開(kāi)展載流子注入和激子復(fù)合機(jī)理、金屬電極等離子體淬 
滅機(jī)理及其應(yīng)對(duì)方法、表面等離子局域發(fā)光增強(qiáng)機(jī)理和方法、出 光提取、新型發(fā)光材料和主體材料的設(shè)計(jì)、藍(lán)色磷光材料的退化 機(jī)理、高效長(zhǎng)壽命疊層白光 OLED 器件等研究；力求制備出 1000 尼特條件下光效超過(guò) 120 lm/W 的有機(jī)白光器件。

4、超高効率 OLED白光デバイス基礎(chǔ)研究 
キャリア注入と勵(lì)起子複合メカニズム、金屬電極プラズマ焼き入れメカニズムとその対応方法、表面プラズマ領(lǐng)域発光増強(qiáng)メカニズムと方法、出光抽出、新型発光材料と主體材料の設(shè)計(jì)、青色燐光光材料の退化メカニズム、高効率長(zhǎng)壽命積層白光 OLEDデバイスなどの研究を重點(diǎn)的に行う。1000nit條件における光効果が 120 lm/W以上の有機(jī)白光デバイスを製造できるように努力する。